पी / एन: फरीफिड, 868 मेगाहर्ट्ज, 915 मेगाहर्ट्झ आरएफआयडी tenन्टीना, सर्व प्रकारचे आकार पॅच डायलेक्ट्रिक anन्टीना

MOEDL: FARFID.553

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1 डीबीआय
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 5 एक्स 5 एक्स 3
（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच

———————————————————————————————————-

MOEDL: FARFID.1025

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1 डीबीआय
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 10X2.5X2.5
（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच

----------------------

MOEDL: FARFID.1053

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1 डीबीआय
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 10 एक्स 5 एक्स 3
（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच

----------------------

MOEDL: FARFID.1373

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1 डीबीआय
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 13X7X3
（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच

——————————————————————-

MOEDL: FARFID.20103

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1 डीबीआय
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 20X10X3
（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच

—————————————————————-

MOEDL: FARFID.2593

（i）डायलेक्ट्रिक tenन्टीना
सेंटर फ्रिक्वेन्सी （मेगाहर्ट्झ ： 686868 मेगाहर्ट्ज (किंवा 15१15 मेगाहर्ट्झ्झ्ड, 22 २२.5.२ मेगाहर्ट्झ)
व्हीएसडब्ल्यूआर ： 1.5: 1
बँडविड्थ （मेगाहर्ट्झ ： Min 15 मि
प्रतिबाधा （Ω） ： 50
लाभः 1.5dBi
ध्रुवीकरण ： आरएचसीपी
उर्जा हाताळणी （डब्ल्यू） ： 1
（ii）यांत्रिकी
वजन （ग्रॅम) <8
आकार （मिमी） ： 25 एक्स 9 एक्स 3

（iii）पर्यावरणविषयक
वर्किंग टेम्प ： -40 ℃ ~ + 85 ℃
स्टोरेज टेम्प ： -45 ℃ 90 + 90 ℃
कंप ： साइन स्वीप 1 जी (0-पी) 10 ~ 50 ~ 10 हर्ट्ज प्रत्येक अक्ष
आर्द्रता ： आर्द्रता 95% ~ 100% आरएच